參數(shù)資料
型號(hào)： EDS2732CABH-75L-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 71-580540-35S
中文描述： 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90
封裝： LEAD FREE, FBGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 36/48頁(yè)
文件大小： 578K
代理商： EDS2732CABH-75L-E
EDS2732CABH
Data Sheet E0397E40 (Ver. 4.0)
36
Bank active command interval
1. Same bank: The interval between the two bank active commands must be no less than tRC.
2. In the case of different bank active commands: The interval between the two bank active commands must be no
less than tRRD.
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
ACT
ROW
ACT
ROW
Bank 0
Active
tRC
Bank Active to Bank Active for Same Bank
CLK
Command
Address
BS
Bank 0
Active
Bank 3
Active
ACT
ROW:0
ACT
ROW:1
tRRD
Bank Active to Bank Active for Different Bank
Mode register set to Bank active command interval
The interval between setting the mode register and executing a bank active command must be no less than
l
MRD.
CLK
Command
Address
Mode
Register Set
Bank
Active
MRS
l
MRD
ACT
BS & ROW
OPCODE
Mode register set to Bank active command interval
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS5104ABTA 512M bits SDRAM
EDS5116ABTA 512M bits SDRAM
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EDS5116ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-7A 512M bits SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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EDS2732CABJ-1AL-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM
EDS2732CABJ-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM
EDS2732CABJ-75L-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM
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