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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS2732CABH-75L-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 71-580540-35S |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | EDS2732CABH-75L-E |
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EDS2732CABH
Data Sheet E0397E40 (Ver. 4.0)
26
CLK
Command
DQ
l
DAL
l
RAS
ACT
WRITA
in
ACT
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
and an interval of tRAS (
l
RAS) is required between previous active (ACT) command
and internal precharge " ".
Single Write
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