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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDI8L24129V |
| 英文描述： | 128Kx24 SRAM 3.3 Volt(128Kx24, 3.3V,CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128Kx24 SRAM的3.3伏（128Kx24，3.3伏，靜態(tài)內(nèi)存的CMOS） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 512K |
| 代理商： | EDI8L24129V |
4
White Electronic Designs Corporation Westborough, MA 01581
(508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI8L24129V
July1999 Rev
ECO
Symbol
10ns
12ns
15ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min Max
Min
Max
Units
Read Cycle Time
TAVAV
TRC
10
12
15
ns
Address Access Time
TAVQV
TAA
10
12
15
ns
Chip Enable Access Time
TELQV
TACS
10
12
15
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1) TELQX
TCLZ
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1) TEHQZ TCHZ
5
6
7
ns
Output Hold from Address Change
TAVQX
TOH
3
ns
OutputEnabletoOutputValid
TGLQV
TOE
5
6
7
ns
Output Enable to Output in Low Z (1) TGLQX TOLZ
0
ns
OutputDisabletoOutputinHighZ(1) TGHQZ TOHZ
5
6
7
ns
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
AC CHARACTERISTICS - READ CYCLE
READ CYCLE - W HIGH, G, E LOW
READ CYCLE 2 - W HIGH
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