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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5108AESK-5C-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 58/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5108AESK-5C-E |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
58
Write with Auto Precharge to Power-Down Entry
CK
/CK
WL
WR*1
WR*1
CK
Command
CKE
DQ
DQS
/DQS
Command
CKE
DQS
/DQS
DQ
/CK
BL=4
BL=8
WRITA
PRE
WRITA
in
0
in
1
in
2
in
3
PRE
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
Note: 1. WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
in
0
in
1
in
2
in
3
in
4
in
5
in
6
in
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5108AESK-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108GBSA-4A-E | 512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104GBSA-5A-E | RxxPxx Series - Econoline Unregulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 15V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; Power: 1W; EN 60950 certified, rated for 250VAC; UL-60950-1 / CSA C22.2 certified; 5.2kVDC Isolation for 1 Minute; Optional Continuous Short Circuit Protected; 2 Chamber Transformer System; UL94V-0 Package Material; Efficiency to 80% |
| EDE5108GBSA-5A-E | INNOLINE: Rxx-100_150A - Compact High Voltage Power Supplies - 5 Watt in Low Profile DIP24 Package - 3000VDC Isolation - Remote Voltage Programming by External Voltage or Resistance - Continuous Short Circuit Protection - Cascadeable to generate Output Voltages of up to 420VDC |
| EDE5104GBSA | 512M bits DDR-II SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AESK-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGBG | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGBG-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGBG-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AGSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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