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參數(shù)資料
| 型號： | EDD2508AKTA-5 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 256M bits DDR SDRAM (32M words x 8 bits, DDR400) |
| 中文描述： | 256M比特DDR SDRAM內(nèi)存（32M的字× 8位，支持DDR400） |
| 文件頁數(shù)： | 5/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 548K |
| 代理商： | EDD2508AKTA-5 |
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EDD2508AKTA-5
Preliminary Data Sheet E0349E60 (Ver. 6.0)
5
DC Characteristics 1 (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V, VSS, VSSQ = 0V)
max.
Parameter
Symbol
Grade
×
8
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
-5B
-5C
-5B
-5C
110
100
140
130
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,CL = 3,
tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current
IDD2P
3
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
30
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
25
mA
4, 10
Active power down standby current
IDD3P
20
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
60
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
200
mA
CKE
≥
VIH, BL = 2, CL = 3
1, 2, 5, 6
IDD4W
210
mA
CKE
≥
VIH, BL = 2,CL = 3
1, 2, 5, 6
Auto Refresh current
IDD5
170
mA
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
Self refresh current
IDD6
3
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
Notes: 1. These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.
2. One bank operation.
3. One bank active.
4. All banks idle.
5. Command/Address transition once per one clock cycle.
6. DQ, DM and DQS transition twice per one clock cycle.
7. 4 banks active. Only one bank is running at tRC = tRC (min.)
8. The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.
9. Command/Address transition once every two clock cycle.
10. Command/Address stable at
≥
VIH or
≤
VIL.
IDD7A
320
mA
BL = 4
1, 5, 6, 7
DC Characteristics 2 (TA = 0 to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Note
Input leakage current
ILI
–2
2
μA
VDD
≥
VIN
≥
VSS
Output leakage current
ILO
–5
5
μA
VDDQ
≥
VOUT
≥
VSS
Output high current
IOH
–15.2
—
mA
VOUT = 1.95V
Output low current
IOL
15.2
—
mA
VOUT = 0.35V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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