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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDD1216AJTA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 128M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128兆位DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 7/52頁 |
| 文件大小： | 513K |
| 代理商： | EDD1216AJTA |
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EDD1216AJTA
Data Sheet E0972E30 (Ver. 3.0)
7
Notes: 1. These IDD data are measured under condition that DQ pins are not connected.
2. One bank operation.
3. One bank active.
4. All banks idle.
5. Command/Address transition once per one clock cycle.
6. DQ, DM and DQS transition twice per one clock cycle.
7. 4 banks active. Only one bank is running at tRC = tRC (min.)
8. The IDD data on this table are measured with regard to tCK = tCK (min.) in general.
9. Command/Address transition once every two clock cycle.
10. Command/Address stable at
≥
VIH or
≤
VIL.
DC Characteristics 2 (TA = 0°C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Notes
Input leakage current
ILI
–2
2
μA
VDD
≥
VIN
≥
VSS
Output leakage current
ILO
–5
5
μA
VDDQ
≥
VOUT
≥
VSS
Output high current
IOH
–15.2
—
mA
VOUT = 1.95V
Output low current
IOL
15.2
—
mA
VOUT = 0.35V
Pin Capacitance (TA = +25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V)
Parameter
Symbol
Pins
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Input capacitance
CI1
CK, /CK
2.0
—
3.0
pF
1
CI2
All other input pins
2.0
—
3.0
pF
1
Delta input capacitance
Cdi1
CK, /CK
—
—
0.25
pF
1
Cdi2
All other input-only pins
—
—
0.5
pF
1
Data input/output capacitance
CI/O
DQ, DM, DQS
4.0
—
5
pF
1, 2
Delta input/output capacitance
Notes: 1. These parameters are measured on conditions: f = 100MHz, VOUT = VDDQ/2,
VOUT = 0.2V.
2. DOUT circuits are disabled.
Cdio
DQ, DM, DQS
—
—
0.5
pF
1
相關(guān)PDF資料 |
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參數(shù)描述 |
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