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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDD1216AJTA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 128M bits DDR SDRAM |
| 中文描述： | 128兆位DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 513K |
| 代理商： | EDD1216AJTA |
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EDD1216AJTA
Data Sheet E0972E30 (Ver. 3.0)
6
DC Characteristics 1 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V) [DDR400]
Parameter
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
110
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,CL = 3,
tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
140
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current IDD2P
3
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
30
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
25
mA
4, 10
Active power down standby
current
IDD3P
30
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
60
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 3
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 3
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
205
mA
1, 2, 5, 6
IDD4W
205
mA
1, 2, 5, 6
Auto-refresh current
IDD5
200
mA
Self-refresh current
IDD6
3
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
IDD7A
350
mA
BL = 4
1, 5, 6, 7
DC Characteristics 1 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V) [DDR333, 266]
Parameter
Symbol
Grade
max.
Unit
Test condition
Notes
Operating current (ACT-PRE)
IDD0
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
95
85
120
110
mA
CKE
≥
VIH,
tRC = tRC (min.)
CKE
≥
VIH, BL = 4,
CL = 2.5, tRC = tRC (min.)
1, 2, 9
Operating current
(ACT-READ-PRE)
IDD1
mA
1, 2, 5
Idle power down standby current IDD2P
3
mA
CKE
≤
VIL
4
Floating idle standby current
IDD2F
-6B
-7A, -7B
30
25
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
DQ, DQS, DM = VREF
4, 5
Quiet idle standby current
IDD2Q
20
mA
4, 10
Active power down standby
current
IDD3P
30
mA
CKE
≤
VIL
3
Active standby current
IDD3N
55
mA
CKE
≥
VIH, /CS
≥
VIH
tRAS = tRAS (max.)
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
CKE
≥
VIH, BL = 2,
CL = 2.5
tRFC = tRFC (min.),
Input
≤
VIL or
≥
VIH
Input
≥
VDD – 0.2 V
Input
≤
0.2 V
3, 5, 6
Operating current
(Burst read operation)
Operating current
(Burst write operation)
IDD4R
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
-6B
-7A, -7B
175
150
175
150
185
175
mA
1, 2, 5, 6
IDD4W
mA
1, 2, 5, 6
Auto-refresh current
IDD5
mA
Self-refresh current
IDD6
3
mA
Operating current
(4 banks interleaving)
IDD7A
-6B
-7A, -7B
330
295
mA
BL = 4
1, 5, 6, 7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| EDD1216AJTA-6B-E | 128M bits DDR SDRAM |
| EDD1216AJTA-7A-E | 128M bits DDR SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDD1216AJTA-4B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1216AJTA-4C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1216AJTA-5B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
| EDD1216AJTA-5C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M bits DDR SDRAM |
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