參數(shù)資料
型號: EDD1216AASE-6B-E
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: ER 3C 3#8 SKT PLUG LINE
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
封裝: ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁數(shù): 44/49頁
文件大小: 569K
代理商: EDD1216AASE-6B-E
EDD1216AATA
Data Sheet E0444E40 (Ver. 4.0)
44
Auto Refresh Cycle
Precharge
If needed
Auto
Refresh
Bank 0
Active
Bank 0
Read
/CK
CK
CKE
/CS
/CAS
/WE
BA
Address
DM
DQ (output)
DQ (input)
/RAS
CL = 2
BL = 4
= VIH or VIL
VIH
tRP
A10=1
R: b
C: b
b
High-Z
tRFC
DQS
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PDF描述
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