參數(shù)資料
型號： EDD1216AASE-6B-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： ER 3C 3#8 SKT PLUG LINE
中文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA60
封裝： ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁數(shù)： 34/49頁
文件大?。?/td> 569K
代理商： EDD1216AASE-6B-E
EDD1216AATA
Data Sheet E0444E40 (Ver. 4.0)
34
in0
in1
in2
in3
out0 out1 out2 out3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS
CL=2
Data masked
2 cycle
READ
NOP
NOP
WRIT
High-Z
High-Z
[WRITE to READ delay = 2 clock cycle]
in0
in1
in2
in3
out0 out1
out2 out3
CK
/CK
DM
DQ
Command
t1
t0
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
BL = 4
CL= 2
DQS
CL=2
Data masked
3 cycle
READ
WRIT
NOP
NOP
Note: tWTR is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair tWTR.
[WRITE to READ delay = 3 clock cycle]
tWTR*
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PDF描述
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EDD1216AASE 128M bits DDR SDRAM (8M words x 16 bits)
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參數(shù)描述
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