參數(shù)資料
型號(hào)： DS1250W
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM(3.3V 4096K 非易失性靜態(tài)RAM)
中文描述： 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA32
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： DS1250W
DS1250W
3.3V 4096K Nonvolatile SRAM
DS1250W
PRELIMINARY
022598 1/11
FEATURES
10 years minimum data retention in the absence of
external power
Data is automatically protected during power loss
Replaces 512K x 8 volatile static RAM, EEPROM or
Flash memory
Unlimited write cycles
Low–power CMOS
Read and write access times as fast as 150 ns
Lithium energy source is electrically disconnected to
retain freshness until power is applied for the first time
Optional industrial temperature range of –40
°
C to
+85
°
C, designated IND
JEDEC standard 32–pin DIP package
New PowerCap Module (PCM) package
– Directly surface–mountable module
– Replaceable snap–on PowerCap provides lith-
ium backup battery
– Standardized pinout for all nonvolatile SRAM
products
– Detachment feature on PCM allows easy
removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
32–PIN ENCAPSULATED PACKAGE
740 MIL EXTENDED
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
32
31
30
29
28
27
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21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
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DQ6
DQ5
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DQ7
DQ6
DQ3
DQ2
GND
CE
V
CC
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2
3
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5
6
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9
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11
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16
17
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33
32
31
30
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28
27
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25
24
23
22
21
20
19
18
A18
A17
A14
A11
A10
A7
A4
A3
A0
NC
NC
GND
V
BAT
34–PIN POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
PIN DESCRIPTION
A0 – A18
DQ0 – DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
– Address Inputs
– Data In/Data Out
– Chip Enable
– Write Enable
– Output Enable
– Power (+3.3V)
– Ground
– No Charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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DS1258AB 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性靜態(tài)RAM)
DS1258Y 128K x 16 Nonvolatile SRAM(128K x 16 非易失性靜態(tài)RAM)
DS1258W 3.3V 128K x 16 Nonvolatile SRAM(3.3V 128K x 16 非易失性靜態(tài)RAM)
DS1259 Battery Manager Chip(電池管理芯片)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1250W-100 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250W-100+ 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250W-100IND+ 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1250W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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