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參數(shù)資料
| 型號： | DD28F032SA |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 32-Mbit (2 Mbit x 16,4 Mbit x 8) FlashFile Memory(32-M位 (2 M位 x 16,4 M位 x 8) FlashFile存儲器) |
| 中文描述： | 32兆位（2兆x 16.4兆位× 8）FlashFile內(nèi)存（32米位（2米位x 16,4 M位× 8）FlashFile存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 24/49頁 |
| 文件大小： | 736K |
| 代理商： | DD28F032SA |
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DD28F032SA
E
24
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
6.4 DC Characteristics
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, T
A
= 0°C to +70°C
3/5# = Pin Set High for 3.3V Operations
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
CE
0
#, CE
X
#, RP#, = V
CC
±
0.2V
BYTE#, WP#, 3/5# = V
CC
±
0.2V or GND ± 0.2V
V
CC
= V
CC
Max
CE
0
#, CE
X
#, RP# = V
IH
BYTE#, WP#, 3/5# = V
IH
or
V
IL
RP# = GND
±
0.2V
BYTE# = V
CC
± 0.2V or GND
± 0.2V
V
CC
= V
CC
Max
CMOS: CE
0
#, CE
X
# = GND
± 0.2V, BYTE# = GND ±
0.2V or V
CC
± 0.2V,
Inputs = GND ± 0.2V or
V
CC
± 0.2V
f = 6.67 MHz, I
OUT
= 0 mA
TTL: CE
0
#, CE
X
# = V
IL
,
BYTE# = V
IL
or V
IH’
Inputs = V
IL
or V
IH
f = 6.67 MHz, I
OUT
= 0 mA
I
IL
Input Load Current
1
± 2
μA
I
LO
Output Leakage
Current
1
± 20
μA
I
CCS
V
CC
Standby
Current
1,5,6,8
100
200
μA
2
8
mA
I
CCD
V
CC
Deep Power-
Down Current
1
2
10
μA
I
CCR
1
V
CC
Read Current
1,4,5,6
25
30
mA
26
34
mA
I
CCW
V
CC
Program
Current for Word or
Byte
1,7
8
12
mA
Program in Progress
I
CCE
V
CC
Block Erase
Current
V
CC
Erase
Suspend Current
1,7
6
12
mA
Block Erase in Progress
I
CCES
1,2,6,7
3
6
mA
CE
0
#, CE
X
# = V
IH
Block Erase Suspended
I
PPS
V
PP
Standby/
Read Current
1
± 2
± 20
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PPR
130
400
μA
V
PP
> V
CC
I
PPD
V
PP
Deep Power-
Down Current
1
0.4
10
μA
RP# = GND ± 0.2V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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