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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK79M72C164GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z HSTL I/O (256K x 72) (27 pages 368K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1z HSTL的I / O（256 × 72）（27頁(yè)368K牧師7/6/01） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/30頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 554K |
| 代理商： | CXK79M72C164GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
26 / 30
July 19, 2002
.
Note 1
: NC and MCL pins at pad locations 5C, 5U, 7U, 6D, 6K, 6P, and 6T are connected to V
SS
internally, regardless of
pin connection externally.
Note 2
: MCH pin at pad location 6N is connected to V
DD
internally, regardless of pin connection externally.
1Mb x 18
Bit
Signal
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCH
(2)
MCH
MCH
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
CQ1
CQ1
Ba
EP3
EP2
A
E3
A
A
A
W
ADV
E1
A
A
E2
Pad
Bit
Signal
Pad
1
2
3
4
5
6
7
8
9
5C
5U
7U
6D
6K
6P
6T
6N
6M
6L
10R
11P
10P
11N
10N
11M
10M
11L
10L
11K
10K
9C
6H
6G
9A
8a
7C
7B
7A
6B
6A
6C
5A
5B
4A
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
A
ZQ
Bb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
CQ2
CK
CK
CQ2
MCL
A
A
A
A
A
A
A0
A1
A
A
A
A
A
3A
6F
3B
2E
1F
2F
1G
2G
1H
2H
1J
2J
1K
3K
4K
2K
6J
3V
4V
4U
5V
6U
5W
6W
6V
7V
8V
7W
8U
9V
10
11
12
13
14
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK79M72C165GB | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXO-M10 | Telecommunication IC |
| CXO-MS10 | Telecommunication IC |
| CXO23HG4I50.0KHZ | Peripheral IC |
| CXO25HG1C41.5MHZ | Peripheral IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK79M72C165GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x1Dp LVCMOS High Speed Synchronous SRAMs (256Kb x 72 or 512Kb x 36) |
| CXK79M72C165GB-4 | 制造商:SONY 功能描述: |
| CXK900L-S | 制造商:CHDS 功能描述:HEAT SINK 130x30x10mm |
| CX-L0612A | 制造商:KYOCERA Corporation 功能描述:INVERTER FOR 5.7" DISPLAYS |
| CXL1008M | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:CMOS-CCD Signal Processor for Skew Compensation |
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