- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366962 > CXK79M36C165GB MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CXK79M36C165GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1z的LVCMOS的I / O（為512k × 36）（27頁364K牧師7/6/01） |
| 文件頁數(shù)： | 17/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C165GB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當(dāng)前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁
SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
17 / 30
July 19, 2002
One Bank Read-Write-Read Timing Diagram
Note
:
In the diagram above, two Deselect operations are inserted between Read and Write operations to control the data bus transition
from output to input. This depiction is for clarity purposes only. It is NOT a requirement. Depending on the application, one Deselect op-
eration may be sufficient.
Note
: E1 = EP1 and E2 = EP2 in this example (not shown).
A2
A3
A4
A5
A
E1
DQ
Q11
D32
D41
Q12
Q21
t
KHAX
t
AVKH
t
KHBX
t
BVKH
D31
t
KHDX
t
DVKH
A1
Q51
Read
Read
Continue
Read
Deselect
Deselect
Write
Write
Continue
Write
Read
Deselect
Deselect
(Continue)
Figure 3
CK
CQ
CQ
ADV
W
t
KHCH
t
CHCL
t
CLCH
t
KHKH
t
KHKL
t
KLKH
Bx
t
KHQX1
t
KHQZ
t
KHQV
t
KHQX
t
CHQX
t
CHQV
CK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK79M72C160GB | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 HSTL I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C161GB | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C164GB | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z HSTL I/O (256K x 72) (27 pages 368K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C165GB | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXO-M10 | Telecommunication IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK79M72C160GB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 HSTL I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C161GB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C164GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x1Dp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (256Kb x 72 or 512Kb x 36) |
| CXK79M72C165GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x1Dp LVCMOS High Speed Synchronous SRAMs (256Kb x 72 or 512Kb x 36) |
| CXK79M72C165GB-4 | 制造商:SONY 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。