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參數資料
| 型號： | CXK79M36C165GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內存SigmaRAM 16Meg 1x1z的LVCMOS的I / O（為512k × 36）（27頁364K牧師7/6/01） |
| 文件頁數： | 15/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C165GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
15 / 30
July 19, 2002
AC Test Conditions (V
DDQ
= 1.8V)
(V
DD
= 1.8V ± 0.1V, V
DDQ
= 1.8V ± 0.1V, T
A
= 0 to 85
°
C
)
Parameter
Symbol
Conditions
Units
Notes
Input Reference Voltage
V
REF
0.9
V
Input High Level
V
IH
1.4
V
Input Low Level
V
IL
0.4
V
Input Rise & Fall Time
2.0
V/ns
Input Reference Level
0.9
V
Clock Input High Voltage
V
KIH
1.4
V
V
DIF
= 1.0V
Clock Input Low Voltage
V
KIL
0.4
V
V
DIF
= 1.0V
Clock Input Common Mode Voltage
V
CM
0.9
V
Clock Input Rise & Fall Time
2.0
V/ns
Clock Input Reference Level
CK/CK cross
V
Output Reference Level
0.9
V
Output Load Conditions
RQ = 250
See Figure 1
below
DQ
0.9 V
Figure 1: AC Test Output Load (V
DDQ
= 1.8V)
50
50
5 pF
16.7
0.9 V
50
50
5 pF
16.7
16.7
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