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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK79M36C164GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1z HSTL I/O (512K x 36) (27 pages 368K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1z HSTL的I / O（為512k × 36）（27頁368K牧師7/6/01） |
| 文件頁數(shù)： | 6/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C164GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
6 / 30
July 19, 2002
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
SS
TCK
14
1.8V Core Power Supply - Core supply voltage.
24
Output Power Supply - Output buffer supply voltage.
4
Input Reference Voltage - Input buffer threshold voltage.
30
Ground
Input
1
JTAG Clock
TMS
Input
1
JTAG Mode Select - Weakly pulled “high” internally.
TDI
Input
1
JTAG Data In - Weakly pulled “high” internally.
TDO
Output
1
JTAG Data Out
MCL
*Input*
5
Must Connect “Low” - May not be actual input pins.
MCH
*Input*
3
Must Connect “High” - May not be actual input pins.
NC
x72 = 13
x36 = 52
x18 = 71
No Connect - These pins are true no-connects, i.e. there is no internal chip connection
to these pins. They can be left unconnected or tied directly to V
DD
, V
DDQ
, or V
SS
.
Symbol
Type
Quantity
Description
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| CXK79M72C161GB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| CXK79M72C164GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:18Mb 1x1Dp HSTL High Speed Synchronous SRAMs (256Kb x 72 or 512Kb x 36) |
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