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參數(shù)資料
| 型號： | CXK79M36C161GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1的LVCMOS的I / O（為512k × 36）（27頁364K牧師7/6/01） |
| 文件頁數(shù)： | 8/30頁 |
| 文件大小： | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C161GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
8 / 30
July 19, 2002
State Diagram
Notes
:
1. The notation “X,X,X,X” controlling the state transitions above indicate the states of inputs E1, E, ADV, and W respectively.
2. “1” = input “high”; “0” = input “l(fā)ow”; “X” = input “don’t care”; “T” = input “true”; “F” = input “false”.
3. If E2 = EP2 and E3 = EP3 then E = “T” else E = “F”.
Deselect
Bank
Deselect
Read
Read
Continue
Write
Write
Continue
X,F,0,X or X,X,1,X
X,F,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X
X,F,0,X
1,T,0,X
1,T,0,X or X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
0,T,0,0
0,T,0,1
X,F,0,X
X,F,0,X
0,T,0,0
0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,0
0,T,0,1
1,T,0,X
0,T,0,0 0,T,0,1
X,X,1,X
X,X,1,X
0,T,0,1
0,T,0,0
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