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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CRS12_06 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 7.76 to 8.10; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MPAK |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | CRS12_06 |
CRS12
2006-11-13
2
Marking
Abbreviation Code
Part No.
SB
CRS12
Standard Soldering Pad
Handling Precaution
1) Schottky barrier diodes have reverse current characteristic compared to other diodes.
There is a possibility SBD may cause thermal runaway when it is used under high temperature or high voltage.
Please take forward and reverse loss into consideration during design.
2) The absolute maximum ratings denote the absolute maximum ratings, which are rated values and must not be
exceeded during operation, even for an instant. The followings are the general derating method that we
recommend when you design a circuit with a device.
V
RRM
: Use this rating with reference to (1) above. V
RRM
has a temperature coefficient of(0.1%/°C. Take
this temperature coefficient into account designing a device at low temperature.
I
F (AV)
: We recommend that the worst case current be no greater than 80% of the absolute maximum
rating of
I
F (AV)
and T
j
bebelow 120°C. When using this device, take the margin into consideration by using
an allowable Tamax-I
F (AV)
curve.
I
FSM
: This rating specifies the non-repetitive peak current. This is only applied for an abnormal
operation, which seldom occurs during the lifespan of the device.
T
j
: Derate this rating when using a device in order to ensure high reliability.
We recommend that a device be used at a T
j
of below 120°C.
3) Thermal resistance between junction and ambient fluctuates depending on the device’s mounting condition.
When using a device, design a circuit board and a soldering land size to match the appropriate thermal
resistance value.
4) Please refer to the Rectifiers databook for further information.
2.8
1.2
1.2
Unit: mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CRW | Power Chip Resistors |
| CRW1210 | Power Chip Resistors |
| CRW1216 | Power Chip Resistors |
| CRW1216100R | Power Chip Resistors |
| CRW2010 | Power Chip Resistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CRS1206-FW-1R00ELF | 功能描述:RES SMD 1 OHM 1% 1/2W 1206 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:1 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:厚膜 特性:高電壓，脈沖耐受 溫度系數(shù):±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:1206（3016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1206 大小/尺寸:0.122" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.10mm x 1.60mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CRS1206-FW-3R30ELF | 功能描述:RES SMD 3.3 OHM 1% 1/2W 1206 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:3.3 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:厚膜 特性:高電壓，脈沖耐受 溫度系數(shù):±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:1206（3016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1206 大小/尺寸:0.122" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.10mm x 1.60mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CRS1206-FX-1000ELF | 功能描述:RES SMD 100 OHM 1% 1/2W 1206 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:100 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:厚膜 特性:高電壓，脈沖耐受 溫度系數(shù):±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:1206（3016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1206 大小/尺寸:0.122" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.10mm x 1.60mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CRS1206-FX-1001ELF | 功能描述:RES SMD 1K OHM 1% 1/2W 1206 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:1k 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:厚膜 特性:高電壓，脈沖耐受 溫度系數(shù):±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:1206（3016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1206 大小/尺寸:0.122" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.10mm x 1.60mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CRS1206-FX-1002ELF | 功能描述:RES SMD 10K OHM 1% 1/2W 1206 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電阻（歐姆）:10k 容差:±1% 功率（W）:0.5W，1/2W 成分:厚膜 特性:高電壓，脈沖耐受 溫度系數(shù):±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:1206（3016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:1206 大小/尺寸:0.122" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.10mm x 1.60mm） 高度:0.026"（0.65mm） 端子數(shù):2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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