參數(shù)資料
型號: CRF24010D
廠商: Cree, Inc.
英文描述: 10 W SiC RF Power MESFET Die
中文描述: 10瓦SiC射頻功率MESFET模具
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 738K
代理商: CRF24010D
4
CRF2400D Rev .5, Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.313.5778
www.cree.com/wireless
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Typical Performance
Maximum Stable Gain, Maximum Available Gain and K Factor of the CRF2400D
V
DD
= 48 V, I
= 500 mA
MAG and K Factor
Intrinsic die parameters - reference planes at centers of gate and drain bonding pads. No wire bonds assumed.
0.1
1.1
2.1
3.1
4
Frequency (GHz)
10
15
20
25
30
0
0.15
0.3
0.45
0.6
M
K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CRF24010 10 W, SiC RF Power MESFET
CRF24060D 60 W SiC RF Power MESFET Die
CRF24060 60 W, SiC RF Power MESFET
CS-5143 brushless DC Motor Driver/Controller
CS-5143DW20 brushless DC Motor Driver/Controller
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參數(shù)描述
CRF24010FE 功能描述:10W RF SIC MESFET FLANGED 440166 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
CRF24010PE 功能描述:10W RF SIC MESFET PILL 440196 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
CRF24010-TB 功能描述:IC MESFET SIC 10W TEST FIXTURE RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 評估和開發(fā)套件,板 系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:GPS 接收器 頻率:1575MHz 適用于相關(guān)產(chǎn)品:- 已供物品:模塊 其它名稱:SER3796
CRF24060 制造商:CREE 制造商全稱:Cree, Inc 功能描述:60 W, SiC RF Power MESFET
CRF24060D 制造商:CREE 制造商全稱:Cree, Inc 功能描述:60 W SiC RF Power MESFET Die