參數(shù)資料
型號： CPV364M4KPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 13 Amp
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大小： 233K
代理商： CPV364M4KPBF
CPV364M4KPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
6
Document Number: 94488
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Fig. 11 - Typical Switching Losses vs.
Collector to Emitter Current
Fig. 12 - Turn-Off SOA
Fig. 13 - Maximum Forward Voltage Drop vs.
Instantaneous Forward Current
0
5
10
15
20
25
30
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
, Collector-to-emitter Current (A)
Tot
a
lS
w
it
chi
n
g
Losses
(
m
J)
C
R
= Ohm
T
= 150 C
V
= 480V
V
= 15V
G
J
CC
GE
°
10
Ω
1
10
100
1000
1
10
100
1000
C
CE
I
,
C
o
ll
ector-
to-Em
itter
C
u
rrent
(A
)
SAFE OPERATING AREA
V
= 20V
T
= 125°C
GE
J
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
1
10
100
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
FM
F
In
stantan
eous
F
o
rwa
rd
C
u
rrent
-
I
(A)
Forward Voltage Drop - V
(V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPV364M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2
CR02A-2240
CR02D-0148
CR02D-224
CR01D-0148
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPV364M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV364M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 20A 600V IMS-2
CPV364MF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPV364MK 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
CPV364MM 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Short Circuit Rated Fast IGBT
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