參數(shù)資料
型號(hào)： CPV363M4UPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 6.8 Amp
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： CPV363M4UPBF
CPV363M4UPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
5
Document Number: 94486
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Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig. 7 - Typical Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
Fig. 8 - Typical Gate Charge vs. Gate to Emitter Voltage
Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Resistance
Fig. 10 - Typical Switching Losses vs. Junction Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
th
J
C
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
h
e
rm
a
lR
e
spo
n
se
(Z
)
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t
/ t
2. Peak T = P
x Z
+ T
12
J
DM
thJC
C
0
400
800
1200
1600
2000
0
1
0
1
CE
C,
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(
p
F
)
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
V
= 0V,
f = 1MHz
C
= C
+ C
, C
SHORTED
C
= C
C
= C
+ C
GE
ies
ge
gc
ce
res
gc
oes
ce
gc
Cies
Cres
Coes
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
Ga
te
-t
o
-Em
it
te
rVo
lt
a
g
e
(
V
)
G
GE
V
= 400V
I
= 6.8A
CC
C
0
12
24
36
48
60
0.30
0.32
0.34
0.36
0.38
0.40
R
, Gate Resistance ( )
Tot
al
S
w
it
chi
n
g
Losses
(m
J)
G
V
= 480V
V
= 15V
T
= 25 C
I
= 6.8A
CC
GE
J
C
°
Ω
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
Total
Swi
tchi
n
g
Losses
(m
J)
J
°
R
= 23
V
= 15V
V
= 480V
G
GE
CC
I =
A
13.6
C
I =
A
6.8
C
I =
A
3.4
C
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPV364M4FPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
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CR02D-0148
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