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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CPV363M4UPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 電源模塊 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 6.8 Amp |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | CPV363M4UPBF |
CPV363M4UPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
9
Document Number: 94486
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Fig. 19 - Clamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 20 - Pulsed Collector Current Test Circuit
CIRCUIT CONFIGURATION
D.U.T.
50 V
6000 F
100 V
1000 V
L
V
C
0 - 480 V
R
L =
480 V
4 x I
C at 25 °C
LINKS TO RELATED DOCUMENTS
Dimensions
www.vishay.com/doc?95066
3
618
15
410
16
9
12
713
19
Q1
Q2
Q3
D1
D2
D3
D4
D5
D6
Q4
Q5
Q6
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| CPV363MM | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated Fast IGBT |
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| CPV364M4F | 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
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