參數(shù)資料
型號(hào): CPH5518
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
中文描述: 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管的大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 4/5頁(yè)
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代理商: CPH5518
CPH5518
No. A0492-4/5
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
VCE(sat) -- IC
Cob -- VCB
O
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
7--0.1
2
3
5
5
7--1.0
2
3
5 7--10
2
3
5 7--100
IT01651
[PNP]
f=1MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
VCE(sat) -- IC
Cob -- VCB
O
70.1
2
3
5
5
71.0
2
3
5 710
2
3
5 7100
IT01652
[NPN]
2
3
5
7
10
2
3
5
7
100
f=1MHz
[PNP]
[NPN]
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
VBE(sat) -- IC
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IC / IB=50
Ta= --25
°
C
75
°
C
25
°
C
Collector Current, IC -- A
IC / IB=50
Ta= --25
°
C
75
°
C
25
°
C
IT01657
IT01658
7
--10
5
3
2
7
--1.0
--0.1
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
7
--1.0
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
0.1
0.1
0.01
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
1.0
Collector Current, IC -- A
Collector Current, IC -- A
C
S
C
S
C
S
C
S
B
S
B
S
[PNP]
[NPN]
-25
°
C
IC / IB=50
Ta=
75
°
C
IC / IB=50
--25
°
C
Ta=75
°
C
3
5
7
2
3
5
7
2
--0.01
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--0.1
--1.0
IT11419
IT11420
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5
7
0.1
2
3
5
7
1.0
7
5
3
2
25
°
C
25
°
C
-25
°
C
Ta=75
°
C
IC / IB=20
IC / IB=20
--25
°
C
Ta=75
°
C
IT11417
[PNP]
IT11418
[NPN]
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
2
3
5
7
--0.1
--0.01
2
3
5
7
--1.0
--0.01
3
2
7
5
3
2
0.1
0.01
0.01
2
3
5
7
0.1
1.0
2
3
5
7
25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH5522 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
CPH5601 P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET)
CPH5602 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
CPH5603 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPH5518-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5518-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5519-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPNPNP SOT346
CPH5520 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
CPH5520-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2