參數(shù)資料
型號： CPH5518
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管的大電流開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 66K
代理商： CPH5518
CPH5518
No. A0492-3/5
IC -- VCE
-20mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
VCE= --2V
C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IC -- VBE
VCE=2V
C
IT01647
[PNP]
IT01649
IT01648
[NPN]
IT01650
2
10
--0.01
3
5
7
2
3
5
7
100
1000
hFE -- IC
D
Collector Current, IC -- A
fT -- IC
Ta=75
°
C
--25
°
C
VCE= --2V
25
°
C
hFE -- IC
D
Collector Current, IC -- A
fT -- IC
Ta=75
°
C
--25
°
C
VCE=2V
25
°
C
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G
Collector Current, IC -- A
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2
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3
5
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100
G
Collector Current, IC -- A
2
3
5
7
2
3
5
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2
3
--0.1
--1.0
2
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7
--0.01
--0.1
--1.0
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0.1
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1.0
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2
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100
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1000
10
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2
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1.0
2
3
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VCE= --10V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
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-
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2
°
C
-
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C
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4mA
6mA
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3mA
4m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH5522 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
CPH5601 P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道硅MOSFET)
CPH5602 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
CPH5603 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
CPH5518-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5518-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5519-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPNPNP SOT346
CPH5520 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
CPH5520-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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