參數(shù)資料
型號(hào)： CPH5518
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨/瑞展硅晶體管的大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
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代理商： CPH5518
CPH5518
No. A0492-2/5
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
(--)0.1
(--)0.1
560
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwideth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
μ
A
μ
A
200
420
(9)6
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
(--230)
130
(--125)
(--380)
190
(--200)
135
(--)1.2
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)300A, IB=(--)6mA
90
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
(--)0.81
(--50)80
(--)50
(--)5
(36)38
(173)332
(28)40
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7017A-009
Electlical Connection
Switching Time Test Circuit
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
SANYO : CPH5
2
1
4
5
3
2.9
0.05
0.4
2
1
0
0
0
0
0
0.15
0.95
+
+
50
INPUT
OUTPUT
VR
RB
RL=24
VCC=25V
100
μ
F
470
μ
F
VBE= --5V
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
5
4
3
1
2
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH5522 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications
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CPH5602 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
CPH5603 Ultrahigh-Speed Switching Applications
CPH5604 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
CPH5518-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5518-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
CPH5519-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPNPNP SOT346
CPH5520 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Current Switching Applications
CPH5520-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP+NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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