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參數(shù)資料
| 型號： | CPC3730CTR |
| 廠商： | CLARE INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 中文描述： | 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | CPC3730CTR |
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Specification: DS-CPC3730-R00C
Copyright 2011, Clare, Inc.
All rights reserved. Printed in USA.
5/24/2011
For additional information please visit our website at: www.clare.com
CPC3730
5
PRELIMINARY
MECHANICAL DIMENSIONS
Dimensions
mm MIN / mm MAX
(inches MIN / inches MAX)
2.286 / 2.591
(0.090 / 0.102)
3.937 / 4.242
(0.155 / 0.167)
1.397 / 1.600
(0.055 / 0.063)
0.356 / 0.432
(0.014 / 0.017)
1.626 / 1.829
(0.064 / 0.072)
R 0.254
(R 0.010)
0.889 / 1.194
(0.035 / 0.047)
0.356 / 0.483
(0.014 / 0.019)
0.432 / 0.559
(0.017 / 0.022)
4.394 / 4.597
(0.173 / 0.181)
1.422 / 1.575
(0.056 / 0.062)
2.921 / 3.073
(0.115 / 0.121)
0.60
(0.024)
TYP 3
1.40
(0.055)
2.70
(0.107)
1.90
(0.075)
1.90
(0.074)
45
5.00
(0.197)
50
PCB Land Pattern
NOTE: Tape dimensions not shown comply with JEDEC Standard EIA-481-2
Dimensions
mm
(inches)
Top Cover
Tape
Embossment
Embossed
Carrier
177.8 Dia
(7.00 Dia)
Top Cover
Tape Thickness
0.102 Max
(0.004 Max)
K
0=1.90 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
P=8.00 ± 0.10
(0.315 ± 0.004)
A
0=4.91 ± 0.10
(0.193 ± 0.004)
B
0=4.52 ± 0.10
(0.178 ± 0.004)
W=12.00 ± 0.30
(0.472 ± 0.012)
CPC3730C
CPC3730C Tape & Reel
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| CPC3902ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:-55°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CPC3909CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| CPC3909ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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