參數(shù)資料
型號(hào)： CPC3730CTR
廠商： CLARE INC
元件分類： JFETs
中文描述： 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： CPC3730CTR
CPC3730
PRELIMINARY
3
R00C
PERFORMANCE DATA*
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written specications, please
contact our application department.
Output Characteristics
(T
A=25C)
VDS (V)
I D
(mA)
0
1
2
3
4
5
150.0
135.0
120.0
105.0
90.0
75.0
60.0
45.0
30.0
15.0
0
6
V
GS=-1.0
V
GS=-2.0
V
GS=-1.5
V
GS=0.0
Transfer Characteristics
(V
DS=5V)
VGS (V)
I D
(mA)
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0
+125C
-40C
+25C
V
GS(off) vs. Temperature
(V
DS=10V, ID=1mA)
-40
0
40
80
120
Temperature (C)
V
GS(off)
(V)
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-3.0
R
ON vs. Temperature
(V
GS=0V, ID=80mA)
-40
0
40
80
120
42.0
36.0
30.0
24.0
18.0
12.0
6.0
0
Temperature (C)
R
ON
(
Ω
)
Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
P
o
wer
Dissipation
(W)
0
20
40
60
80
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
120
140
Temperature (C)
V
DS (V)
I D
(A)
0
10
100
1000
1.0
0.1
0.001
0.0001
Maximum Rated Safe Operating Area
at 25C
On-Resistance vs. Drain Current
(V
GS=0V)
ID (A)
0.00
0.04
0.08
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.12
0.16
0.2
R
ON
(
Ω
)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage
(V
GS=-5V)
V
DS
(V)
C
(pF)
0
10
20
160
140
120
100
80
60
40
20
0
30
40
V
ISS
V
RSS
V
OSS
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PDF描述
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CPC3902ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:-55°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CPC3909ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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