參數(shù)資料
型號： CPC3730CTR
廠商： CLARE INC
元件分類： JFETs
中文描述： 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： CPC3730CTR
PRELIMINARY
2
R00C
CPC3730
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to
the device. Functional operation of the device at conditions
beyond those indicated in the operational sections of this
data sheet is not implied.
Absolute Maximum Ratings @ 25C
Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Noted)
Parameter
Ratings
Units
Drain-to-Source Voltage
350
V
P
Gate-to-Source Voltage
±20
V
P
Total Package Dissipation
1.6 1
W
Operational Temperature
-55 to +125
C
Storage Temperature
-55 to +125
C
1 Mounted on FR4 board 1"x1"x0.062"
Package
I
D (continuous)
I
D (pulsed)
Power Dissipation @T
A=25C
jcC/W
I
DR
I
DRM
SOT-89
140mA
600mA
1.6W 1
15
140mA
600mA
1 Mounted on FR4 board 1"x1"x0.062"
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Drain-to-Source Breakdown Voltage
BV
DSX
V
GS= -5V, ID=100A
350
-
V
P
Gate-to-Source Off Voltage
V
GS(off)
I
DS= 15V, ID=1mA
-1.6
-
-3.9
V
Change in V
GS(off) with Temperatures
dV
GS(off)/dT
V
DS= 15V, ID=1mA
-
4.5
mV/C
Gate Body Leakage Current
I
GSS
V
GS=±20V, VDS=0V
-
100
nA
Drain-to-Source Leakage Current
I
D(off)
V
GS= -5V, VDS=Max Rating
-
1
A
V
GS= -5V, VDS=280V, TA=125C
-
1
mA
Saturated Drain-to-Source Current
I
DSS
V
GS= 0V, VDS=15V
140mA
-
mA
Static Drain-to-Source On-State Resistance
R
DS(on)
V
GS= 0V, ID=140mA
-
30
Change in R
DS(on) with Temperatures
dR
DS(on)/dT
V
GS= 0V, ID=140mA
-
1.1
%/C
Forward Transconductance
G
FS
I
D= 100mA, VDS = 10V
150
-
m
Input Capacitance
C
ISS
V
GS= -5V
V
DS= 25V
f= 1MHz
-
100
200
pF
Common Source Output Capacitance
C
OSS
20
100
Reverse Transfer Capacitance
C
RSS
580
Turn-ON Delay Time
t
d(on)
V
DD= 25V
I
D= 150mA
V
GS= 0V to -10V
R
GEN= 50
-
20
-ns
Rise Time
t
r
10
Turn-OFF Delay Time
t
d(off)
20
Fall time
t
f
50
Source-Drain Diode Voltage Drop
V
SD
V
GS= -5V, ISD= 150mA
-
0.6
1.8
V
Switching Waveform & Test Circuit
90%
10%
90%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
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CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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