參數(shù)資料
型號(hào)： CM20AD00-12H
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： MITSUBISHI IGBT MODULES
中文描述： 三菱IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： CM20AD00-12H
Sep. 2000
mA
μ
A
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
μ
C
°
C/W
°
C/W
Typ.
—
V
V
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM20AD00-12H
MEDIUM POWER SWITCHING USE
FLAT BASE, INSULATED TYPE
1
0.5
2.8
—
2.0
1.5
0.4
—
120
300
200
300
2.8
110
—
2.0
3.1
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
CC
= 300V, I
C
= 20A, V
GE
= 15V
V
CC
= 300V, I
C
= 20A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 31
Resistive load
I
E
= 20A, V
GE
= 0V
I
E
= 20A, V
GE
= 0V
di
E
/ dt = – 40A /
μ
s
IGBT part, Per 1/6 module
FWDi part, Per 1/6 module
I
C
= 2.0mA, V
CE
= 10V
I
C
= 20A, V
GE
= 15V
(Note.4)
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
—
2.1
2.15
—
—
—
60
—
—
—
—
—
—
0.05
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
CES
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
EC(
Note.1
)
t
rr (
Note.1
)
Q
rr (
Note.1
)
R
th(j-c)Q
R
th(j-c)R
Symbol
Parameter
Test conditions
V
GE(th)
V
CE(sat)
Collector cutoff current
Gate-emitter cutoff current
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Total gate charge
Turn-on delay time
Turn-on rise time
Turn-off delay time
Turn-off fall time
Emitter-collector voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Gate-emitter threshold voltage
Collector-emitter saturation voltage
Thermal resistance
Limits
Min.
Max.
Unit
6
4.5
7.5
Collector cutoff current
Gate-emitter cutoff current
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Total gate charge
Forward voltage drop
Gate-emitter threshold voltage
Collector-emitter saturation voltage
Thermal resistance
V
V
1
0.5
2.8
—
2.0
1.5
0.4
—
2.8
2.1
3.2
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
V
CC
= 300V, I
C
= 20A, V
GE
= 15V
I
F
= 20A, Clamp diode part
IGBT part
Clamp diode part
mA
μ
A
nF
nF
nF
nC
V
°
C/W
°
C/W
—
—
2.1
2.15
—
—
—
60
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
I
CES
I
GES
C
ies
C
oes
C
res
Q
G
V
FM
R
th(j-c)Q
R
th(j-c)R
Symbol
Parameter
Test conditions
V
GE(th)
V
CE(sat)
Unit
6
4.5
7.5
I
C
= 2.0mA, V
CE
= 10V
I
C
= 20A, V
GE
= 15V
(Note.4)
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
Repetitive reverse current
Forward voltage drop
Thermal resistance
V
R
= V
RRM
, T
j
= 150
°
C
I
F
= 20A
Per 1/6 module
mA
V
°
C/W
—
—
—
—
—
—
I
RRM
V
FM
R
th(j-c)
Symbol
Parameter
Test conditions
8
1.5
3.1
Typ.
Limits
Min.
Max.
Unit
Typ.
Limits
Min.
Max.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj = 25
°
C)
INVERTER PART
BRAKE PART
CONVERTER PART
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM20AD05-12H MITSUBISHI IGBT MODULES
CM20MD-12H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM20MD-12H CAPACITOR; SMT; TANTALUM; 1.0UF; 35.0V
CM20MD1-12H MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
CM20MD1-12H CI Module Three Phase Converter Three Phase Inverter 20 Amperes/600 Volts
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM20AD05-12H 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MITSUBISHI IGBT MODULES
CM20B050K 制造商:BRKLYN 功能描述:
CM20B-240K 制造商:BRKLYN 功能描述:
CM20CF 功能描述:熔絲座 CAMASTER COMP 30A CANADA RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品: 電流額定值:30 A 電壓額定值:1000 VDC 極數(shù):1 系列: 安裝風(fēng)格:DIN Rail 端接類型: 軸類型: 工作溫度范圍:
CM20ED102JN3 功能描述:云母電容器 RoHS:否 電容:100 pF 容差:5 % 電壓額定值:300 V 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 溫度系數(shù):0 PPM / C, 70 PPM / C 端接類型:Radial 封裝 / 箱體: 產(chǎn)品:Mica Standard Dipped Capacitors 制造商:Cornell Dubilier
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