參數(shù)資料
型號(hào)： CM200E3U-12H
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Chopper IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 50K
代理商： CM200E3U-12H
Sep.1998
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.19
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.35
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
GATE CHARGE, Q
G
, (nC)
G
G
,
GATE CHARGE, V
GE
20
0
100
200
15
10
5
0
300
600
400
500
V
CC
= 300V
V
CC
= 200V
I
C
= 200A
EMITTER CURRENT, I
E
, (AMPERES)
R
r
,
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
10
4
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
t
rr
I
rr
10
2
10
1
10
-1
10
0
r
,
di/dt = -400A/
μ
sec
T
j
= 25
°
C
COLLECTOR CURRENT, I
C
, (AMPERES)
10
3
10
1
10
2
10
3
10
2
10
1
t
d(off)
t
d(on)
t
r
V
CC
= 300V
V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.1
T
j
= 125
°
C
t
f
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200E3U-12H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM200HA-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200HA-24H Single IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
CM200TU-12F 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
CM200TU-12F 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
CM200TU-12H 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200E3U-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200E3U-24F 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
CM200E3Y12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
CM200E3Y24E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C)
CM200EXS-24S 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT 1200V 200A 1500W MODULE 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE 1.2KV 200A 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 200A 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:1.5kW; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:150C; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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