參數(shù)資料
型號： CM150DU-12F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 150 Amperes/600 Volts
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 351K
代理商： CM150DU-12F
1
Trench Gate Design
Dual IGBTMOD
150 Amperes/600 Volts
CM150DU-12F
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Outline Drawing and Circuit Diagram
Dimensions
Inches
Millimeters
A
3.70
94.0
B
1.89
48.0
C
1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5
D
3.15
±
0.01
80.0
±
0.25
E
0.43
11.0
F
0.16
4.0
G
0.71
18.0
H
0.02
0.5
Dimensions
Inches
Millimeters
J
0.53
13.5
K
0.91
23.0
L
1.13
28.7
M
0.67
17.0
N
0.28
7.0
P
M6.5
M6.5
Q
0.26 Dia.
6.5 Dia.
R
0.16
4.0
Description:
Powerex IGBTMOD Modules
are designed for use in switching
applications. Each module consists
of two IGBT Transistors in a half-
bridge configuration with each tran-
sistor having a reverse-connected
super-fast recovery free-wheel
diode. All components and inter-
connects are isolated from the
heat sinking baseplate, offering
simplified system assembly and
thermal management.
Features:
□
Low Drive Power
□
Low V
CE(sat)
□
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
□
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
□
AC Motor Control
□
UPS
□
Battery Powered Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM150DU-12F is a
600V (V
CES
), 150 Ampere Dual
IGBTMOD Power Module.
Current Rating
Amperes
V
CES
Type
Volts (x 50)
CM
150
12
Q (2 PLACES)
C
A
D
B
C
R
K
K
C2E1
E2
C1
H
M
N
E
F
G
F
J
L
E
G
C2E1
RTC
E2
E1
G1
C1
E2
G2
RTC
P - NUTS (3 PLACES)
TC MEASURING
POINT
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PDF描述
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