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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CM150DY-24A |
| 廠商： | POWEREX INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | DUAL IGBTMOD-TM A-SERIES MODULE 150 AMPERES / 1200 VOLTS |
| 中文描述： | 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-7 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | CM150DY-24A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM150DY-24E | DUAL IGBTMOD-TM E-SERIES MODULE 150 AMPERES / 1200 VOLTS |
| CM150DY-28H | Dual IGBTMOD 150 Amperes/1400 Volts |
| CM150TJ-12F | 128 x 64 pixel format, LED or EL Backlight available |
| CM15MD1-24H | CI Module Three Phase Converter Three Phase Inverter 15 Amperes/1200 Volts |
| CM200DU-12F | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 200 Amperes/600 Volts |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CM150DY24E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| CM150DY-24E | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:DUAL IGBTMOD-TM E-SERIES MODULE 150 AMPERES / 1200 VOLTS |
| CM150DY-24H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM150DY-24NF | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A NF SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| CM150DY-24NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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