參數(shù)資料
型號： CM150TJ-12F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 128 x 64 pixel format, LED or EL Backlight available
中文描述： 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： CM150TJ-12F
1
Trench Gate Design
Six IGBTMOD
150 Amperes/600 Volts
CM150TJ-12F
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Outline Drawing and Circuit Diagram
Dimensions
Inches
Millimeters
A
4.78
121.5
B
2.42
61.5
C
0.67
17.0
D
4.33
±
0.01
110.0
±
0.25
E
3.00
76.2
F
0.75
19.05
G
0.60
15.24
H
0.15
3.81
J
2.26
57.5
K
1.97
±
0.01
50.0
±
0.25
L
1.07
27.0
Description:
Powerex IGBTMOD Modules
are designed for use in switching
applications. Each module consists
of six IGBT Transistors in a three
phase bridge configuration, with
each transistor having a reverse-
connected super-fast recovery
free-wheel diode. All components
and interconnects are isolated
from the heat sinking baseplate,
offering simplified system assembly
and thermal management.
Features:
□
Low Drive Power
□
Low V
CE(sat)
□
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
□
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
□
AC Motor Control
□
UPS
□
Battery Powered Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM150TJ-12F is a
600V (V
CES
), 150 Ampere Six-
IGBT IGBTMOD Power Module.
Current Rating
Amperes
150
V
CES
Type
CM
Volts (x 50)
12
Dimensions
Inches
Millimeters
M
0.15
3.81
N
0.75
19.05
P
0.15
3.81
Q
3.00
76.2
R
0.60
15.24
S
0.45
1.15
T
0.04
1.0
U
0.22 Dia. 5.5 Dia.
V
0.12
3.0
W
0.81
20.5
X
3.72
94.5
Y
4.62
118.11
2
1
4
3
5 6
8
7
9
10
11
12
17
NOT
19
15
CONNECTED
CONNECTED
NOT
20
21
14
13
16
18
1
2
3
4
21
20
19
8
7
6
5
12
11
10
9
13
14
17
15
A
D
F
H
B
J
K
Q
P
R
L
C
T
S
N
G
U
Tc
Tc
V
X
Y
E
L
M
W
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CM150TL-12NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM150TL-12NF_12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
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CM150TL-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
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