型號: | CJD122 |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
中文描述: | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 126K |
代理商: | CJD122 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CJD122NPN | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
CJD127PNP | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
CJD122-NPN | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
CJD127 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
CK2C100LR | CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CJD122 BK | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARLINGTON 100V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
CJD122 TR | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARLINGTON 100V 8A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
CJD122 TR13 | 功能描述:TRANS NPN 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
CJD122_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
CJD122NPN | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR |