參數(shù)資料
型號(hào)： CJD122NPN
廠商： Central Semiconductor Corp.
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： CJD122NPN
CJD122 NPN
CJD127 PNP
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
DPAK TRANSISTOR CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (26-September 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD122,
CJD127 types are Complementary Silicon Power
Darlington Transistors manufactured in a surface
mount package designed for low speed switching
and amplifier applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
UNITS
V
V
V
A
A
mA
W
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TA=25°C)
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
100
100
5.0
8.0
16
120
20
1.75
TJ,Tstg
Θ
JC
Θ
JA
-65 to +150
6.25
71.4
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICEO
VCE=50V
ICEV
VCE=100V, VBE(off)=1.5V
ICEV
ICBO
VCB=100V
IEBO
VEB=5.0V
BVCEO
IC=30mA
VCE(SAT)
IC=4.0A, IB=16mA
VCE(SAT)
IC=8.0A, IB=80mA
VBE(SAT)
IC=8.0A, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=4.0V, IC=4.0A
hFE
VCE=4.0V, IC=4.0A
hFE
VCE=4.0V, IC=8.0A
fT
VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CJD122)
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CJD127)
hfe
VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0kHz
(TC=25°C unless otherwise noted)
MIN
MAX
10
10
500
10
2.0
UNITS
μA
μA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
VCE=100V, VBE(off)=1.5V, TC=125oC
100
2.0
4.0
4.5
2.8
1000
100
4.0
12000
MHz
pF
pF
200
300
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CJD127PNP COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CJD122-NPN COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CK2C100LR CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
CK2A470LR CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
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參數(shù)描述
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