參數(shù)資料
型號： CJD122-NPN
廠商： Central Semiconductor Corp.
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： CJD122-NPN
CJD122 NPN
CJD127 PNP
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
DPAK TRANSISTOR CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (26-September 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD122,
CJD127 types are Complementary Silicon Power
Darlington Transistors manufactured in a surface
mount package designed for low speed switching
and amplifier applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
UNITS
V
V
V
A
A
mA
W
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TA=25°C)
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
100
100
5.0
8.0
16
120
20
1.75
TJ,Tstg
Θ
JC
Θ
JA
-65 to +150
6.25
71.4
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICEO
VCE=50V
ICEV
VCE=100V, VBE(off)=1.5V
ICEV
ICBO
VCB=100V
IEBO
VEB=5.0V
BVCEO
IC=30mA
VCE(SAT)
IC=4.0A, IB=16mA
VCE(SAT)
IC=8.0A, IB=80mA
VBE(SAT)
IC=8.0A, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=4.0V, IC=4.0A
hFE
VCE=4.0V, IC=4.0A
hFE
VCE=4.0V, IC=8.0A
fT
VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CJD122)
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CJD127)
hfe
VCE=4.0V, IC=3.0A, f=1.0kHz
(TC=25°C unless otherwise noted)
MIN
MAX
10
10
500
10
2.0
UNITS
μA
μA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
VCE=100V, VBE(off)=1.5V, TC=125oC
100
2.0
4.0
4.5
2.8
1000
100
4.0
12000
MHz
pF
pF
200
300
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CK2C100LR CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
CK2A470LR CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
CK2A470LT CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
CK2A470MC CHIP TYPE, WIDE TEMPERATURE RANGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CJD127 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:DARLINGTON PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 20W (TC=25C) 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:DARLINGTON PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 20W (TC=25C) - free partial T/R at 500.
CJD127 TR13 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
CJD127PNP 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
CJD13003 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 15W (TC=25C) 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:HIGH VOLTAGE NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 15W (TC=25C) - free partial T/R at 500.
CJD13003 TR13 功能描述:TRANS NPN 700V 1.5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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