品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6P41FE | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.55
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI1025X | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.38
品牌:萬(wàn)代 | 型號(hào):AOD417 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
100-999 個(gè)
￥0.51
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):QS6U24 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | SBD參數(shù):Vrm=25V，Io=0.7A | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.78
品牌:ON/安森美 | 型號(hào):NTHS2101PT1g | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.3W | 最大漏極電流ID:-5.4A | 最大源漏電壓VDSS:-8V
≥3000 個(gè)
￥0.85
品牌:DIODES/美臺(tái) | 型號(hào):2N7002VA-7 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.23