品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF20N60C | 材料:IC | 封裝形式:220F

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML6302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH6303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4A | 應用范圍:放大

品牌:SILICON | 型號:TN0205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應用范圍:放大

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH3410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ647 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.4A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ625 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:如圖 | 應用范圍:功率

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSC072N03LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:20N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導:1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1