參數(shù)資料
型號： CGY2021G
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： DCS/PCS 2 W power amplifier
中文描述： 1710 MHz - 1785 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： CGY2021G
1997 Apr 03
6
Philips Semiconductors
Preliminary specification
DCS/PCS 2 W power amplifier
CGY2021G
DC CHARACTERISTICS
V
DD
= 4.5 V; T
amb
= 25
°
C; peak current values during burst; general operating conditions applied; unless otherwise
specified.
Note
1.
The negative bias V
GG
must be applied 10
μ
s before the power amplifier is switched on, and must remain applied
until the power amplifier has been switched off.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Pins RFO/V
DD4,
V
DD3
, V
DD2
, V
DD1
and DETO/V
DD5
V
DD
I
DD
positive supply voltage
positive peak supply current
4.5
1.4
V
A
Pins V
GG1
and V
GG2
V
GG1
V
GG2
I
GG1
+ I
GG2
negative supply voltage
negative supply voltage
negative peak supply current
note 1
note 1
1.6
1.6
2
V
V
mA
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