參數(shù)資料
型號： CGH40025F
廠商： CREE INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 W, RF Power GaN HEMT
中文描述： C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 959K
代理商： CGH40025F
4
CGH40025 Rev .0 Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.313.5778
www.cree.com/wireless
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Vdd = 28 V, Idq = 250 mA
V
DD
DQ
10
15
20
25
30
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
Frequency (GHz)
M
0.00
0.38
0.75
1.13
1.50
K
MSG
MAG
K Factor
Typical Performance
Swept CW Data of CGH40025F vs. Output Power with Source
and Load Impedances Optimized for P3dB Power in CGH40025F-TB
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 250 mA, Freq = 3.7 GHz
Simulated Maximum Stable Gain, Maximum Available
Gain and K Factor of the CGH40025F
8
9
10
11
12
13
14
15
20
25
30
Output Power (dBm)
35
40
45
G
0
10
20
30
40
50
60
70
D
Gain (dB)
Drain Eff. (%)
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PDF描述
CGH40045 45 W, RF Power GaN HEMT
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參數(shù)描述
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