參數資料
型號： CGH40025F
廠商： CREE INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 W, RF Power GaN HEMT
中文描述： C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數： 2/12頁
文件大?。?/td> 959K
代理商： CGH40025F
2
CGH40025 Rev .0 Preliminary
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.313.5778
www.cree.com/wireless
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Absolute Maximum Ratings (not simultaneous) at 25C Case Temperature
Parameter
Symbol
Rating
Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
T
STG
T
J
I
GMAX
T
S
84
Volts
Gate-to-Source Voltage
-10, +2
Volts
Storage Temperature
-55, +150
C
Operating Junction Temperature
175
C
Maximum Forward Gate Current
4.0
mA
Soldering Temperature
245
C
Thermal Resistance, Junction to
Case
1
R
θ
JC
3.8
C/W
Note:
1
Measured for the CGH40025F at P
DISS
= 28 W.
Electrical Characteristics (T
C
= 25C)
Characteristics
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Conditions
DC Characteristics
2
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
-3.0
-2.5
-1.8
VDC
V
DS
= 10 V, I
D
= 7.2 mA
Gate Quiescent Voltage
V
GS(Q)
–
-2.0
–
VDC
V
DS
= 28 V, I
D
= 250 mA
Saturated Drain Current
I
DS
4.8
5.4
–
A
V
DS
= 6.0 V, V
GS
= 2.0 V
Drain-Source Breakdown Voltage
V
BR
84
100
–
VDC
V
GS
= -8 V, I
D
= 7.2 mA
Case Operating Temperature
T
C
-10
–
+65
C
Screw Torque
T
–
–
60
in-oz
Reference 440166 Package Revision 3
RF Characteristics (T
C
= 25
C, F
0
= 3.7 GHz unless otherwise noted)
Small Signal Gain
G
SS
–
13
–
dB
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 250 mA
Power Output at 3 dB
Compression
P
3dB
–
30
–
W
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 250 mA
Drain Efficiency
1
η
–
62
–
%
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 250 mA, P
3dB
Output Mismatch Stress
VSWR
–
TBD
–
Y
No damage at all phase angles,
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 250 mA,
P
OUT
= 12 W CW
Dynamic Characteristics
Input Capacitance
C
GS
–
9.3
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Output Capacitance
C
DS
–
2.0
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Feedback Capacitance
C
GD
–
0.9
–
pF
V
DS
= 28 V, V
gs
= -8 V, f = 1 MHz
Notes:
1
Drain Efficiency = P
/ P
2
Measured on wafer prior to packaging.
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CGH40045 45 W, RF Power GaN HEMT
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