參數(shù)資料
型號： CGH40025F
廠商： CREE INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 25 W, RF Power GaN HEMT
中文描述： C BAND, GaN, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 959K
代理商： CGH40025F
Subject to change without notice.
www.cree.com/wireless
CGH40025F
25 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40025 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40025, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40025 ideal for linear and compressed amplifier circuits.
The transistor is available in a screw-down, flange package.
PRELIMINARY
R
FEATURES
Up to 4 GHz Operation
16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
30 W typical P
3dB
62 % Efficiency at P3dB
28 V Operation
APPLICATIONS
2-Way Private Radio
Broadband Amplifiers
Cellular Infrastructure
Test Instrumentation
Class A, AB, Linear amplifiers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Type: 440166
PN: CGH40025F
相關PDF資料
PDF描述
CGH40045 45 W, RF Power GaN HEMT
CGO869 870 MHz optical receiver with integrated gain control
CGY2010G GSM 4 W power amplifiers
CGY2011G GSM 4 W power amplifiers
CGY2013G GSM 4 W power amplifier
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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CGH40035F 功能描述:TRANS 35W RF GAN HEMT 440193 PKG RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:GaN 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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