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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CEB05P03 |
| 英文描述： | -30V P Channel MOS |
| 中文描述： | - 30V的P通道馬鞍山 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | CEB05P03 |
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
-
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
-I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
-V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
-V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
-
D
,
4-15
4
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V
DS
=V
GS
I
D
=-250
A
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=-250
A
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
V
DS
=-15V
20.0
10.0
1.0
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
=0V
70
10
1
1
10
30
60
V
=-10V
Single Pulse
Tc=25 C
R
DS
(ONLmt
DC
10ms
1ms
100
s
8
10
6
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
V
DS
=-15V
I
D
=-4.9A
CEP05P03/CEB05P03
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEB07N8 | 800V N Channel MOS |
| CEP07N8 | 800V N Channel MOS |
| CEB08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEP08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEB09N6 | 600V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEB06N5 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N65 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N7 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:800V N Channel MOS |
| CEB08N5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:500V N Channel MOS |
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