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參數(shù)資料
| 型號： | CEB05P03 |
| 英文描述： | -30V P Channel MOS |
| 中文描述： | - 30V的P通道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | CEB05P03 |
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ Max Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
V
SD
V
GS
= 0V, Is = -1.7A
-0.79
-1.2
V
a
Notes
a.Pulse Test:PulseWidth 300
s, Duty Cycle 2%.
b.Guaranteed by design, not subject to production testing.
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 4. On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature
Figure 3. Capacitance
-V
DS
, Drain-to Source Voltage (V)
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
, Drain Current (A)
I
D
,
C
R
D
,
I
D
,
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-10V
-9V
-5V
-4V
-3V
V
GS
=-6V
0.18
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.000
-2.5
-5
-7.5
-10
Tj=125 C
V
GS
=-10V
25 C
-55 C
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
-1
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-55 C
25 C
Tj=125 C
4-14
4
0
5
10
15
20
25
30
Ciss
Coss
Crss
1500
1250
1000
750
500
250
0
CEP05P03/CEB05P03
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEB07N8 | 800V N Channel MOS |
| CEP07N8 | 800V N Channel MOS |
| CEB08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEP08N5 | 500V N Channel MOS |
| CEB09N6 | 600V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEB06N5 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N65 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N7 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB07N8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:800V N Channel MOS |
| CEB08N5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:500V N Channel MOS |
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