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參數資料
| 型號： | C67076-A2515-A67 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| 中文描述： | IGBT功率模塊（功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管） |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | C67076-A2515-A67 |
Semiconductor Group
8
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode
I
F
= f(V
F
)
parameter: T
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
3.0
V
F
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
100
I
F
T
j
=25°C
=125°C
j
T
Transient thermal impedance Diode
Z
th JC
=
(t
p
)
parameter: D = t
p
/ T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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