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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | C67076-A2515-A67 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
| 中文描述： | IGBT功率模塊（功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | C67076-A2515-A67 |
Semiconductor Group
7
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
Typ. switching time
I = f (I
C
) , nductive load , T
j
= 125°C
par.: V
CE
= 300 V, V
GE
= ± 15 V, R
G
= 22
0
20
40
60
80
100
A
I
C
140
1
10
2
10
3
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
Typ. switching time
t = f (R
G
) ,inductive load ,
T
j
= 125°C
par.: V
CE
= 300 V, V
GE
= ± 15 V, I
C
= 50 A
0
20
40
60
80
120
R
G
1
10
2
10
3
10
ns
t
tdon
tdoff
tf
Typ. switching losses
E = f (I
C
) ,
inductive load ,
T
j
= 125°C
par.: V
CE
= 300 V, V
GE
= ± 15 V, R
G
= 22
0
20
40
60
80
100
A
I
C
140
0
1
2
3
4
5
6
7
8
mWs
10
E
Eon
Eoff
Typ. switching losses
E = f (R
G
) , nductive load , T
j
= 125°C
par.: V
CE
= 300V, V
GE
= ± 15 V, I
C
= 50 A
0
20
40
60
80
120
R
G
0
1
2
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5
6
7
8
mWs
10
E
Eon
Eoff
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