參數(shù)資料
型號(hào): C67076-A2515-A67
廠商: SIEMENS AG
英文描述: IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)
中文描述: IGBT功率模塊(功率模塊3相全橋包括快速滑行二極管)
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 123K
代理商: C67076-A2515-A67
Semiconductor Group
4
Jan-10-1997
BSM 50 GD 60 DN2
Power dissipation
P
tot
=
(T
C
)
parameter: T
j
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
W
220
P
tot
Safe operating area
I
C
=
(V
CE
)
parameter: D= 0, T
C
= 25°C , T
j
150 °C
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
C
10
1
10
2
10
3
V
CE
V
DC
10 ms
1 ms
100 μs
tp = 16.0μs
Collector current
I
C
=
(T
C
)
parameter: V
GE
15 V , T
j
150 °C
0
20
40
60
80
100
120
°C
T
C
160
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
A
60
I
C
Transient thermal impedance IGBT
Z
th JC
=
(t
p
)
parameter: D = t
p
/ T
-3
10
-5
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
thJC
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
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