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CSD16401Q5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
CSD16401Q5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD16401Q5 技術(shù)參數(shù)
  • CSD163CEVM-591 功能描述:TPS40304 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效 主要用途:DC/DC,步降 輸出和類型:1,非隔離 功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 14 V 穩(wěn)壓器拓?fù)?降壓 頻率 - 開關(guān):600kHz 板類型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:TPS40304 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16342Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16340Q3T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.2nC @ 4.5V Vgs(最大值):+10V,-8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1350pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16340Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 20A,8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16327Q3T 功能描述:CSD16327Q3T 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3
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