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CSD16401Q5T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 5793

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321297

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國上海

  • 321297

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET N-CH 25V 100A

  • 22+

  • -

  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15820

  • Ti

  • VSON-CLIP (DQH)

  • 20

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD16401Q5T
    CSD16401Q5T

    CSD16401Q5T

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 8435

  • TI/德州儀器

  • NA

  • 22+

  • -

  • 可訂貨，請確認(rèn)

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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CSD16401Q5T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16401Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD163CEVM-591 功能描述:TPS40304 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效 主要用途:DC/DC，步降 輸出和類型:1，非隔離 功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 14 V 穩(wěn)壓器拓?fù)?降壓 頻率 - 開關(guān):600kHz 板類型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:TPS40304 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16342Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16340Q3T 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:+10V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16340Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T
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