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CSD17318Q2T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD17318Q2T
    CSD17318Q2T

    CSD17318Q2T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29232

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • CSD17318Q2T
    CSD17318Q2T

    CSD17318Q2T

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 53167

  • Texas Instruments

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • CSD17318Q2T
    CSD17318Q2T

    CSD17318Q2T

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Texas Instruments

  • MOSFET N-CHANNEL 30V

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD17318Q2T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 25A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 2.5V，8V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）
  • ±10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 879pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 16W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 15.1 毫歐 @ 8A， 8V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 6-WSON（2x2）
  • 封裝/外殼
  • 6-WDFN 裸露焊盤
  • 標準包裝
  • 1
CSD17318Q2T 技術參數
  • CSD17313Q2T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON（2x2） 標準包裝:1 CSD17313Q2Q1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:汽車級，AEC-Q100，NexFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON（2x2） 標準包裝:1 CSD17313Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON（2x2） 標準包裝:1 CSD17312Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 35A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5240pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD17311Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4280pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T
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