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CSD17484F4T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD17484F4T
    CSD17484F4T

    CSD17484F4T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國(guó)上海

  • 321264

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • CSD17484F4T
    CSD17484F4T

    CSD17484F4T

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 321264

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • CSD17484F4T
    CSD17484F4T

    CSD17484F4T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD17484F4T
    CSD17484F4T

    CSD17484F4T

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD17484F4T
    CSD17484F4T

    CSD17484F4T

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 50000

  • TI

  • PICOSTAR3

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
CSD17484F4T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 3A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 121 毫歐 @ 500mA，8V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 0.2nC @ 8V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 195pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 3-PICOSTAR
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD17484F4T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD17484F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:195pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:121 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17483F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:190pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17483F4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:190pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17382F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:64 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:347pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:109 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:195pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5 CSD17559Q5T CSD17570Q5B CSD17570Q5BT CSD17571Q2 CSD17573Q5B CSD17573Q5BT CSD17575Q3 CSD17575Q3T CSD17576Q5B CSD17576Q5BT CSD17577Q3A
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